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K4S561632J-UC75 三星存储卡芯片全新现货主图

K4S561632J-UC75 三星存储卡芯片全新现货参数

制造商IC编号K4S561632J-UC75

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别SDRAM

IC代码16MX16 SD

脚位/封装TSOP2

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.3 V

温度规格0°C to +85°C

速度7.5ns PC133 (133MHz CL=3)

标准包装数量960

标准外箱3840

潜在应用ELEVATOR/ BUILDING AUTOMATION 

電梯/樓宇自動化MP3 /MP4 /MP5 PLAYERSMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商

K4S561632J-UC75 三星存储卡芯片全新现货相关信息

表1  VM寄存器各位作用表中，“#RD可以/不能访问”是指此存储器是否位于数据空间，“#PSEN可以/不能访问”是指此存储器是否位于数据空间，因为在MCS-51系统中对外部数据/程序空间的访问就是通过#RD和#PSEN进行区分的。举例说明：

VM=0CH，表示主FLASH位于程序空间，次FLASH位于数据空间；VM=16H，表示主FLASH位于数据和程序空间，次FLASH位于程序间。位0用来指定SRAM是否位于程序空间，因为SRAM只在数据空间有效。位7用来指示外设IO模式的允许与禁止，具体将在后面介绍。图1可帮助对VM寄存器作用的理解。

图1 μPSD中存储器系统结构如图1所示，VM位0～4与#RD、#PSEN联合实现对主/次FLASH及SRAM的选择。这里是通过输出允许#OE信号进行控制的，也就是说即使存储器的地址有效（CS有效），如果#OE无效，也不能访问到此存储器的内容。主/次FLASH的#OE有两个有效输入项，由VM位3/4控制#RD是否起作用，VM的1/2位来控制#PSEN是否起作用。在VM的各位确定后，可依图1画出简化的配置结构。这里的#OE信号是对主/次FLASH的每一块同时有效的。在实现IAP时，通过VM来实现对主/次FLASH的空间进行换，例如，主FLASH作用户程序，次FLASH用作升级程序；正常工作时，主FLASH作程序空间，运行用户代码，在进行程序升级时，将次FLASH切换作程序空间，并运行次FLASH中的升级程序，再把主FLASH换到数据空间，对主FLASH中的用户代码进行更新。