深圳市英特瑞斯电子有限公司
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13年
产品信息
制造商: |
Vishay |
产品种类: |
MOSFET |
RoHS: |
详细信息 |
技术: |
Si |
安装风格: |
SMD/SMT |
封装 / 箱体: |
PowerPAK-SO-8L-4 |
晶体管极性: |
P-Channel |
通道数量: |
1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压: |
200 V |
Id-连续漏极电流: |
9.4 A |
Rds On-漏源导通电阻: |
305 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: |
- 20 V, + 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: |
5 V |
Qg-栅极电荷: |
55 nC |
小工作温度: |
- 55 C |
大工作温度: |
+ 175 C |
Pd-功率耗散: |
68 W |
通道模式: |
Enhancement |
商标名: |
PowerPAK |
系列: |
SQ |
封装: |
Reel |
封装: |
Cut Tape |
封装: |
MouseReel |
商标: |
Vishay / Siliconix |
配置: |
Single |
下降时间: |
5 ns |
正向跨导 - 小值: |
15 S |
产品类型: |
MOSFET |
上升时间: |
5 ns |
3000 |
|
子类别: |
MOSFETs |
晶体管类型: |
1 N-Channel |
典型关闭延迟时间: |
35 ns |
典型接通延迟时间: |
16 ns |
单位重量: |
506.600 mg |